【杂志简介】
《人工晶体学报》是由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会和中非人工晶体研究院联合主办，由《人工晶体学报》编辑委员会编辑，人工晶体学报社出版的国家级学术性期刊，是我国唯一专门刊登人工晶体材料这一高新技术研究领域成果的学术性刊物。《人工晶体学报》以“让中国晶体走向世界让世界关注中国晶体”为己任，论文年内容集中反映了我国人工晶体材料研究领域的最新成果，覆盖了本学科的所有研究项目和应用领域，成为世界了解我国人工晶体材料研究领域的重要窗口。《人工晶体学报》以论文和简报等形式及时报道我国在晶体材料：半导体材料、光电子材料、压电晶体材料、纳米材料、薄膜材料、超硬材料和高技术陶瓷等在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的最新科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动及会展信息。刊户覆盖以上各行业的大专院校、科研院所、生产经营单位和省(市)图书馆、政府相关部门，该刊已在美、日、英、俄、德等国家和地区发行。学报编委会由全国30多位知名院士、教授和专家组成，负责确定《学报》的办刊宗旨及审定论文的质量。
本刊为美国《工程索引》(EI)收录源期刊;此外，早已收录《学报》的其它国际著名检索系统有：美国《化学文摘》(CA)，英国《科学文摘》(INSPEC)，日本《科技文献速报》(JICST)，俄罗斯《文摘杂志》(AJ)。在国内，《人工晶体学报》为"中文核心期刊";已被《中国科技文献数据库》收录，全文内容在"万方数据--数字化期刊群"系统上网;被《中国期刊网》、《中国学术期刊(光盘版)》全文收录;是《中国学术期刊综合评价数据库》来源期刊;《中国学术期刊文摘》首批收录的源期刊。本刊曾荣获“全国优秀科技期刊”奖,并多次荣获部级“科技优秀期刊”等多种奖励。经过多年的发展，目前《人工晶体学报》日益受到国内外读者的广泛欢迎，受到美国、俄罗斯、日本、捷克等国外科研企业的高度关注，国外有关公司已通过《学报》所展示的信息与国内有关单位进行了广泛接触与交流。他们的目标是追踪高科技前沿，主推高学术水平，展示技术与工程的结合，促进产业化发展。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录
1997年获全国第二届优秀科技期刊奖
1987年获优秀编辑二等奖
1989年获优秀期刊奖
【栏目设置】
主要栏目：学术论文、简报。
杂志优秀目录参考：
1 制约硅晶片减薄因素研究分析 刘腾云;葛培琪;高玉飞; 1719-1724
2 应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究 郝东;朱世富;赵北君;朱兴华;何知宇;杨定宇;孙辉; 1725-1730+1747
3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超导薄膜的制备及其特性研究 汪薪生;郭峰;任泽龙;李国兴;张宝林; 1731-1735
4 聚吡咯修饰锂钒氧纳米管的制备及其电化学性能研究 崔朝军;孙兴川;李现常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747
5 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光(英文) 梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰; 1741-1747
6 基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒 丁彬;程现铁;徐国庆;张宏; 1748-1753
7 PET在乙酸溶液中的晶体生长探索 苏佳乐;常新安;陈学安;肖卫强;张书峰;臧和贵; 1754-1757
8 Sc_2O_3对水热法生长ZnO晶体的影响 左艳彬;周海涛;王金亮;何小玲;任孟德;张昌龙; 1758-1763
9 氯氧化铋晶体的制备及其表征研究 马春阳;吴飞飞;王金东;肖清贵;徐红彬; 1764-1767+1772
10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+红色荧光粉的合成与发光性能 李登宇;王海波;朱月华;邢海东;施丰华;卓宁泽; 1768-1772
11 三元纳米层状Ta_2AlC原位合成机制 田宝娜;应国兵;王鹏举;王乘;吴玉萍; 1773-1777
12 负极集流体为CNT导电纸的锂离子电池及其性能 刘珍红;孙晓刚;吴小勇;庞志鹏;聂艳艳;岳立福; 1778-1782
13 ZnO/TiO_2复合光阳极染料敏化太阳能电池的研究 王艳香;高智丹;杨志胜;黄丽群;李家科;孙健; 1783-1789
电子技术应用论文：基于随机森林的跌倒检测算法
摘要：针对现有跌倒检测算法由于缺乏真实老人跌倒样本以及使用年轻人仿真跌倒样本规模较小导致的过拟合和适应性不足等问题，提出了基于随机森林的跌倒检测算法。该算法采用滑动窗口机制，对窗口内的加速度数据进行时间域和变换域处理，提取时间域和变换域特征参数后，在所有样本集中进行有放回的Bootstrap随机抽样和属性随机选择，构建多个基于最佳属性分割的支持向量机(SVM)基本分类器。在线跌倒检测阶段，对多个SVM基本分类器的分类结果采用少数服从多数的原则，给出最终判定结果。实验表明，随机森林跌倒检测算法可获得95.2%的准确率、90.6%的敏感度和93.5%的特异性，明显优于基于SVM和反向传播(BP)神经网络跌倒检测算法，反映出随机森林跌倒检测算法能更准确地检测跌倒行为，具有较强的泛化能力和鲁棒性。
关键词：跌倒检测,随机森林,支持向量机,反向传播神经网络,属性
人工晶体学报最新期刊目录
4英寸高质量GaN单晶衬底制备————作者：齐占国;王守志;李秋波;王忠新;邵慧慧;刘磊;王国栋;孙德福;于汇东;蒋铠泽;张爽;陈秀芳;徐现刚;张雷;
摘要：本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略，成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题，制备出直径4英寸（1英寸=2.54 cm）的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后，获得厚度500 μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性，表面无裂纹，应力分布均匀；阴极荧光光谱（CL）表征位错密度为9.6×105 纳米空心立方体ZnMn2O4/rGO复合材料的储锂性能————作者：张琳;蔡强浩;代汉文;汪燕鸣;王飞; 摘要：ZnMn2O4是一种潜在的高比容量锂离子电池负极材料，但仍需提高其大电流充放电性能和循环寿命。本文通过简便的室温微乳液法和后续煅烧制备了边长约200 nm的ZnMn2O4空心立方体，由粒径30～50 nm的纳米颗粒相互紧密连接形成。为了提高材料的导电性，将ZnMn2O4 p型TBC电池发射极制备工艺————作者：宋志成;张博;张春福;屈小勇;倪玉凤;高嘉庆; 摘要：将隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）结构引入背接触太阳电池结构，制备得到隧穿氧化层钝化接触背接触（tunneling oxide passivated contact back contact， TBC）太阳电池，能够有效抑制电子、空穴的复合，提高光电转换效率。本文重点关注p型TBC太阳电池的发射极制备工艺，深入研究了p型硅片上制备n型隧穿氧化钝化接触结构（n-TOPCon）的制备工艺和钝化性能，... 侧壁修复提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究————作者：郝家龙;李宏博;吕顺鹏;朱立财;孙文超;张若甲;刘钟旭;蒋科;贲建伟;张山丽;孙晓娟;黎大兵; 摘要：AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而，侧壁效应和电流拥挤效应严重制约其高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm，台面半径分别为12.5、25.0、50.0 μm的深紫外Micro-LED，并系统探究了侧壁损伤修复对不同尺寸和不同阵列化Micro-LED的影响规律。研究发现，使用KOH修复侧壁可有效降低AlGaN基深紫外Mi... 白云石精制液可控制备高长径比碳酸钙晶须的研究————作者：于丰;郑强;齐婷玉;张郁柏;马亚丽;贾松岩;李雪; 摘要：以高浓度的白云石精制液为原料，采用碳化法制备高长径比文石型碳酸钙晶须。采用XRD、SEM、TEM等对碳酸钙晶须样品进行表征，主要考察了碳化温度、搅拌速率、CO2通气速率、陈化时间对碳酸钙分散程度和长径比的影响。研究结果表明，制备碳酸钙晶须的最佳工艺条件为：碳化温度为80 ℃，CO2通气速率为25 mL/min，搅拌速率为200 r/min，陈化时间为1 ... 加热器结构对轻掺磷超低氧直拉单晶硅氧杂质分布的影响————作者：商润龙;陈亚;芮阳;王黎光;马成;伊冉;杨少林; 摘要：绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）是能源转换与传输的核心器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天及电动汽车等领域。作为IGBT芯片的衬底材料，轻掺磷超低氧硅晶圆的品质对IGBT芯片的性能起着至关重要的作用。由于直拉法（Czochralski，Cz）单晶硅拉制的过程中需要用到含氧的石英坩埚，生长的单晶硅氧含量通常达到4×10... 缺陷氨氟复合功能化UiO-66的制备及其青蒿琥酯吸附性能的研究————作者：王子豪;刘嘉钰;董子豪;王宇鑫;许雅旭;朱禹; 摘要：青蒿琥酯，是一种青蒿素衍生的倍半萜类抗疟药物，因其对疟原虫的特异作用而引起医药科学家的关注。然而，青蒿琥酯提取步骤复杂，需要使用大量有机溶剂且能耗高。本实验利用金属-有机框架材料易修饰和多孔的特性，构筑出一类功能化的UiO-66应用于青蒿琥酯吸附研究。选用氨基和氟基作为亲疏水基团，研究不同比例对青蒿琥酯的吸附性能，同时考虑到UiO-66孔径尺寸较青蒿琥酯更小，通过添加适量水分子，构筑缺陷的功能化锆... 二维BC6N/BN横向异质结的电学输运性质研究————作者：解忧;肖潇飒;姜宁宁;张涛; 摘要：二维异质结具有新颖的物理和化学性质，在纳米电子器件中具有重要应用前景。本文构建了一种新型BC6N/BN横向异质结，基于第一性原理结合非平衡态格林函数方法，对其结构稳定性、电子结构、电导率及伏安特性进行了系统研究。稳定的BC6N/BN横向异质结拥有2.01 eV的直接带隙，异质结界面处产生静电势差，电子与空穴在界面形成了电势垒。相较于两个单层材料，BC LiNbO3/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究————作者：朱家怡;杜帅;周鹏飞;郑凡;陈云琳; 摘要：在200 ℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO3/ITO（LN/ITO）异质结薄膜。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明，相比于ITO/LN，LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示，200 ℃下异质结薄膜表面较为平整，鲜少有凸起。... 钙钛矿太阳电池中的脒基小分子界面修饰策略————作者：王智超;叶林峰;阮妙;杨超;加雪峰;倪玉凤;郭永刚;高鹏; 摘要：为了钝化钙钛矿中存在的缺陷，提高钙钛矿薄膜质量，设计了一种新型的小分子2-氨基乙脒二氢溴酸盐（2AD）对钙钛矿((FA0.90MA0.05Cs0.05)Pb(I0.96Br0.04)3)薄膜进行界面修饰，使用氯苯作为反溶剂进行1.55 eV带隙的反式钙钛矿太阳电池器件... 一步碳化法制备木棉纤维多孔碳及其对锌负极稳定性的影响————作者：宋琪;蒋玲;陈鸿明;李辉富;黄朔;骆丽杰;陈拥军; 摘要：锌离子电容器是新兴电化学储能设备理想的选择之一，然而金属锌与水系电解液之间的热力学反应会引发腐蚀和不可控的锌枝晶生长，严重影响了锌离子电容器的库仑效率和使用寿命。为了抑制水系电解液中锌负极的不良副反应，本文利用木棉纤维生物质材料通过一步碳化法制备了具有亚纳米通道的多孔碳材料(FC)，并将其涂覆在锌负极表面获得Zn@FC复合负极。FC中的亚纳米通道可以不断地吸附溶剂化锌离子中的水分子，并促进逐步去溶... 近红外Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点光纤的研究进展————作者：李帅;张蕾; 摘要：半导体量子点材料具有独特的光学和电学特性，在LED、太阳能电池、荧光探针、催化等领域显示出巨大的应用潜力，尤其是Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料，荧光光谱处于近红外波段且可以覆盖光纤通信窗口，将其制备成量子点掺杂的光纤在光纤通信领域具有较为广泛的应用。目前发展的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点掺杂光纤的制备方法主要有改进的化学气相沉积法、溶胶凝胶膜涂覆法、空心光纤灌装固化法、高温熔融直接拉丝法、管内熔融法、玻璃毛细管... 低位错6英寸锑化镓单晶生长与性能研究————作者：杨文文;卢伟;谢辉;刘刚;吕鑫雨;摆易寒;李晨慧;潘教青;赵有文;沈桂英; 摘要：锑化镓因其优越的物理特性和重要的应用价值而受到广泛关注。研究团队采用液封直拉技术成功生长出国内首根6英寸n型掺Te锑化镓单晶锭，加工制备出高质量6英寸（1英寸=2.54 cm）锑化镓单晶衬底，并对晶体结晶质量和晶片表面性质进行了研究。测试结果表明，锑化镓衬底（400）面摇摆曲线半峰宽仅为20＂，平均位错密度约为3177 cm-2，表面粗糙度Rq为0.42... 含d10电子构型钨酸盐结构与性能关系的第一性原理研究————作者：崔健;和志豪;丁家福;王云杰;万俯宏;李佳郡;苏欣; 摘要：本文基于第一性原理方法对比研究了钨酸盐TMWO4（TM=Zn、Cd、Hg）的电子结构和光学性质。研究结果表明，ZnWO4、CdWO4和HgWO4三种钨酸盐的带隙均为直接带隙，带隙宽度分别为2.579、2.081和2.538 eV。三种钨酸盐价带顶部主要为O-2p态贡献，由于杂化效应，O-2p态和W-5d态共同组... Li2MoO4晶体的坩埚下降法生长及其发光性能————作者：刘文宇;钱露;李芳建;潘尚可;孙志刚;陈红兵;潘建国; 摘要：基于无中微子双β衰变低温辐射探测器的研究，本文研究了Li2MoO4晶体生长以及发光性能。以市售Li2MoO4粉末为初始原料，采用水平区熔法提纯，随后通过坩埚下降法生长得到一英寸Li2MoO4透明晶体。对晶体进行了物相分析与发光性能表征。X射线粉末衍射结果显示，晶体属于... 咪唑基离子液修饰钙钛矿太阳能电池及其性能研究————作者：加雪峰;阮妙;叶林峰;倪玉凤;郭永刚;高鹏; 摘要：宽带隙钙钛矿太阳能电池是晶硅－钙钛矿叠层电池的主要组成部分。宽带隙钙钛矿材料存在缺陷密度大、非辐射复合严重等问题，限制了宽带隙钙钛矿太阳能电池的发展。为改善这些问题，本研究提出了一种利用离子液1-丁基-3-甲基咪唑甲磺酸盐（BMM）修饰钙钛矿薄膜的方法。通过研究不同浓度BMM添加剂对钙钛矿薄膜及其电池性能的影响，发现调控BMM的添加量能够提升结晶质量，减少薄膜内部的缺陷，从而提高钙钛矿太阳能电池性... 对称氧化限制结构提高795 nm VCSEL单模功率————作者：贾秀阳;贾志刚;董海亮;陈小东;高茂林;许并社; 摘要：795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷原子钟和量子陀螺仪的激光光源，一般采用单氧化限制结构保证单模输出，但这种结构输出功率较小且功耗较高。本文利用PICS3D软件首先对不同位置单氧化限制层进行模拟分析，结果表明，氧化限制层越靠近有源区，其对载流子的限制能力越强，因此在相同的注入电流条件下器件的输出功率越高。在此基础上设计了靠近有源区对称双氧化限制和四氧化限制结构VCSEL，与传统单氧化... 宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展————作者：杜青波;杨亚鹏;高旭东;张智;赵晓宇;王惠琦;刘轶尔;李国强; 摘要：碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势，基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提升，极大地促进了SiC基核辐射探测器的发展。本文从SiC核辐射探测器的原理及性能评价指标入手，分析了辐射探测时SiC材料与各种辐射粒子相互作用的方式、主要性能指标，以及它们... 具有超高载流子迁移率单层C2B6的预测————作者：任龙军;柴什虎;王付远;姜萍; 摘要：二维材料具有优异的电子和光学性能，在纳米器件的应用中具有绝对优势。本研究提出了一种新型二维材料(单层C2B6)，通过第一性原理模拟计算了其动态和热稳定性。有趣的是，单层C2B6具有半导体特性，HSE06计算方法得出其仅具有约0.671 eV的超窄带隙。而单层C2B6中... 弯曲弹性梁多稳态超材料带隙调控特性研究————作者：魏玉华;陈新华;蒋帅;王建广;李小双; 摘要：多稳态超材料能够在外部力作用下发生变形，从而实现对弹性波传播的灵活调控。本文基于双稳态弯曲弹性梁结构，提出了两种不同维度弯曲弹性梁多稳态超材料，该超材料具有两种稳定构型，并能够通过外部力的作用在这两种稳定状态之间切换。通过有限元方法，系统研究了多稳态超材料在两种稳定构型下的色散关系和频率响应特性。研究结果表明，通过调节外部施加的力，可以实现稳态结构的形变，从而有效地调整带隙的频率范围和宽度。此外，... 相关科技期刊推荐 核心期刊推荐
