电子元件与材料

所属栏目：科技期刊热度：时间：

《电子元件与材料》 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：51-1241/TN; 国际标准刊号：1001-2028; 主办单位：中国电子元件行业协会; 主管单位：中国电子学会; 查看电子元件与材料近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《长春工业大学学报》工业设计类学报期刊; 下一本期杂志：《机床与液压》科技论文

　　搜论文知识网并非《电子元件与材料杂志》期刊的官网或杂志社，为客户提供期刊征稿、论文发表等中介服务，在客户与期刊杂志社之间搭建了一座省时、省力的便捷桥梁。本站与《电子元件与材料杂志》等上百家同类正规期刊保持着多年的密切合作关系，切实提高客户期刊发表的质量与效率。通过本站发表论文，客户将获得更大的选择空间、更高的通过率、更快的发表速度、更满意的服务质量。

　　期刊简介：《电子元件与材料杂志》报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。

　　期刊栏目：研究与试制，科技动态，专家论坛，企业之窗，博士论文，会议消息，新品介绍，产品导购。

　　期刊荣誉：Caj-cd规范获奖期刊，第二届全国优秀科技期刊，第三届(2005)国家期刊提名奖期刊。

　　鸣网郑重承诺：

　　1、搜论文知识网并非各类杂志的官方网站或杂志社，是快速高效发表论文的中介机构，谢绝投递杂志社的稿件。

　　2、本站提供服务全面，包括期刊推荐、论文发表、论文写作等指导服务，如有需要请点击在线客服人员进行具体咨询。

　　3、本站只适当收取维持网站正常运转的编审排录费、排版、制作、印刷、邮寄样刊、发票等综合费用，无其他额外费用。

　　4、本站所合作的期刊，均为国家新闻出版总署(www.gapp.gov.cn)认证的正规、合法、双刊号期刊。

　　5、本站凭借多年的论文发表经验，审核、发表成功率高，文章审核通过确认录用支付费用。

　　最后，感谢您一直以来对网站及合作期刊《电子元件与材料杂志》的关注与支持，我们会认真对待您繁忙之余提出的宝贵意见和建议，我们会再接再厉，与您携手共进!

　　电子元件与材料最新期刊目录

基于小型半模扇形谐振器的单频和双频滤波器设计————作者：张胜;武禧龙;刘海;赵恩惠;乔红亮;

摘要：基于一种小型半模扇形基片集成波导谐振器，分别设计出一种单频带通滤波器和一种双频带通滤波器。首先，通过在谐振器表面引入两个径向槽，它们能够独立控制四个模式的谐振频率，实现了阻带带宽达3.3 GHz的单频滤波器。其次，在源和负载之间引入交叉枝节，从而实现了中心频率可调的双频滤波器。两种滤波器均具有传输零点，极大地提高了滤波器的带外抑制特性。最后，对双频滤波器进行了加工和测量，实测中心频率为0.94 G...

片式钽电容器浪涌稳定性研究————作者：田超;邓俊涛;胡鹏;郑传江;王凤华;

摘要：片式钽电容器的浪涌稳定性对电路系统的安全性和可靠性至关重要，通过浪涌击穿电压和浪涌电流测试研究了水汽、温度和真空对浪涌稳定性的影响。结果表明，由于异常瞬态效应，水汽饱和使聚合物片式钽电容器的浪涌击穿电压较干燥状态提高约18%,1 ms浪涌电流降低两个数量级以上。温度从-55℃升高至125℃时，浪涌击穿电压降低约20%,浪涌电流逐渐增大，MnO₂片式钽电容器的1 ms浪涌电流均...

采用新型差分有源电感的宽调谐范围低相位噪声VCO————作者：王雪;张万荣;宋金达;张辉;楚尚勋;

摘要：提出了一种基于新型差分有源电感（DAI）的小面积、宽调谐范围、低相位噪声的电感-电容型压控振荡器(L_AIC VCO)。其中DAI主要由差分正跨导器、改进型负跨导器以及反馈电阻构成，以获得电感值的大调谐范围，且同时保持较高Q值和较低的噪声值；将DAI代替VCO中的传统无源LC谐振腔，以减小芯片面积、拓展振荡频率的可调范围、降低相位噪声；同时采用RC滤波负阻产生电路，以滤除流入L...

一种高性能带隙基准源的设计————作者：王凌翔;张涛;刘劲;

摘要：针对传统带隙基准电压受运放失调电压影响较大，而无运放带隙基准电源的噪声抑制效果不佳的问题，设计了一种降低失调电压影响的高性能带隙基准电路。设计中通过改变三极管的连接方式使得该结构具有抑制失调电压的能力和更高的电源噪声抑制能力，从而提高了输出电压的精度和电源抑制比(PSRR)。同时，利用三极管基极电流的负温度高阶项对带隙输出进行低温曲率补偿，使得带隙基准电压具有极低的温度系数。该电路采用华虹宏力0....

基于改进斑马算法的GaN HEMT混合小信号建模————作者：李畅;王军;

摘要：为了提高半导体器件小信号建模精度并解决优化算法易陷入局部最优解的问题，提出了一种基于改进斑马优化算法(Improved Zebra Optimization Algorithm, IZOA)的氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)混合小信号建模方法。采用数学修正法和直接提取法提取小信号参数，...

基于动态复合寿命的LED多量子阱载流子分布计算————作者：冯晓雨;肖秧;房永恒;田海涛;刘宏伟;张东炎;

摘要：为了得到多量子阱(MQWs)发光二极管(LED)在正向偏压下更精确的载流子寿命和浓度分布，研究了在动态复合寿命条件下LED的MQWs载流子复合特性和分布特性。研究工作中，使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备生长了AlGaInP/GaInP MQWs LED材料并加工为红光LED器件。利用时间分辨光谱测试了LED的载流子复合寿命。结合材料和器件结构参数建立了MQWs LED载流子计算模型，该模型使...

一种具有快速恢复能力的过流保护电路设计————作者：晁慧;陈思宁;陈海进;

摘要：为了减小过流对电路的损害，设计了一种用于纹波电压二次方恒定导通时间（V²COT）控制的降压（BUCK）转换器的过流保护电路。通过调整纹波注入电路的输出波形，延长其输出信号小于反馈电压信号的时间，推迟导通信号的到来，从而降低系统开关频率。采用0.18μm的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺完成了电路设计和仿真验证。结果表明，当限流阈值为3.9 A时，开关频率最低降...

一种自检测快起振8 MHz CMOS晶振电路设计————作者：陈小钰;郑迅;倪屹;

摘要：在微处理器中，为了解决高速外部时钟源中传统的皮尔斯晶体振荡器起振时间长的问题，提出了一种自检测快起振8 MHz CMOS晶振电路。通过自启动电路到差分放大电路之间的电容建立正反馈回路，提升运算放大器的偏置电流，从而加快输出信号的响应时间。利用开关占空比整形电路完成波形整形与电平移位，实现内部集成电源到数字电源的转换。此外，为了确保晶振电路的精度和可靠性，设计了基于电容充放电与二分频电路的自检测机制...

叠层片式热敏电阻表面绝缘处理技术的研究进展————作者：程飞鹏;文昕;向艳;辜丽欢;

摘要：微电子技术的发展和对电子产品微型化的需求引领着热敏电阻朝着小型化、高可靠性的方向发展，对热敏电阻的材料及封装技术也提出了更高的要求。表面绝缘化处理是影响叠层片式热敏电阻封装尺寸及可靠性的关键工艺，然而传统的玻璃喷涂工艺难以适应小尺寸元件的生产。为此针对叠层片式热敏电阻为抑制电镀时产生爬镀、降低镀液侵蚀的风险及提高环境耐受性而常用的几种表面绝缘处理技术进行了调研，对近年来片式元件行业厂商广泛使用的喷...

无线无源声表面波传感器温度补偿方法————作者：徐静宁;蔡飞达;张勇斌;卢铭瑞;王晗;

摘要：针对密闭空间内部状态参数的长期监测，设计了一种基于声表面波(SAW)原理的无源无线应变传感器。为解决应变测量中温度干扰的问题，提出了一种基于最小二乘法的温度补偿方法。通过微扰理论和有限元分析，对传感器的应变系数和温频系数进行了仿真计算，并对应变系数与温度的关系进行了多项式拟合，建立了应变系数对温度的补偿公式。构建了SAW应变传感器测试系统，在30,36,50和60℃条件下，测得了0～1000με范...

嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究————作者：张潇;周建伟;杨云点;罗翀;栾晓东;邵祥清;李瑾;

摘要：为了提高多晶硅去除速率，从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面，X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附，促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成，加速了多晶硅表面软质层的形成以及机械作用对其的去除。另一方面，Zeta电位、摩擦力、温度数据表明嘧啶水解产生的嘧啶阳离子降低了SiO₂磨料之间的静电斥力，导致表面间的摩擦力增大，加...

基于第一性原理计算的磁性吸收剂电磁参数预测————作者：刘佳熙;白兴智;张楠;陆海鹏;

摘要：磁性吸收剂是吸波材料的重要组成部分，其性能优化与设计一直是该领域的研究前沿。本研究结合第一性原理计算与经典电磁理论，从微观到宏观，分析原子组成结构与磁性吸收剂微波电磁参数之间的关系，实现吸收剂的跨尺度研究。采用第一性原理计算的方法，选取Fe₁₅Si、FeCo、Fe₁₂Si₂Al₂三种典型球状磁性吸收剂作为研究对...

基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的高性能电磁波吸收材料研究————作者：晏金辉;叶升言;张明明;杨金培;马瑞;

摘要：为了提高配网线路缺陷感知装置的电磁信号识别距离，研究提出了基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的电磁波吸收材料，通过脱溶策略将纳米Co_xFe_y合金颗粒均匀嵌入至钙钛矿氧化物LaCoFeO₃基体表面，能有效避免团聚效应，优化材料的电磁波吸收性能。实验结果显示，随着硝酸钴添加...

正负极配比对镍铁锰酸钠//活性炭(NFM//AC)钠离子电容器性能的影响————作者：安仲勋;范羚羚;夏恒恒;

摘要：钠离子电容器（SICs）是近些年来兴起的新型储能器件，相较于双电层电容器（EDLCs）具有更高的能量密度，相较于钠离子电池（SIBs）具有更高的功率密度，同时兼具了成本和长循环寿命优势，虽然国内外研究还处于起步阶段，但已成为电化学储能器件领域的研究热点。本文以镍铁锰酸钠（NFM）为正极，活性炭（AC）为负极，采用六氟磷酸钠（NaPF₆）/乙腈（CH₃CN...

高共模抑制比的肌电传感器的电路设计————作者：杨成英;

摘要：肌电图(EMG)被公认是诊断和鉴别神经肌肉疾病必备的客观检查手段。然而，传统肌电传感器电路存在共模抑制比(CMRR)低、滤波不完整的问题，导致肌电图波动大、精度低。基于具有低失调电压、低增益漂移特性的ADI芯片AD8221放大器，以及具备低输入偏置电流、低输入失调电流以及高转换率的运算放大器TL084,设计了一款高精度的肌电图传感器采集电路。该电路利用运算放大器的特点，将微分电路和绝对值电路有效融...

面向表面行波散射抑制的阻抗调制变量分析————作者：包家昕;钟小丹;崔浩;

摘要：针对传统雷达散射吸波材料存在低频性能差、重量大、环境适应性差等问题，在材料不连续处添加渐变阻抗结构可以作为一种抑制表面行波散射的方法。通过建立金属与空气分界面的电磁模型，比较了在分界面处引入渐变阻抗结构前后的雷达散射情况，分析了渐变阻抗结构对金属与空气分界面的行波散射的影响；系统地研究了宽频段内水平极化入射电磁波阻抗调制变量对表面行波散射的抑制效果，并对其规律进行了总结。电磁仿真计算结果表明：雷达...

一种应用于温度传感器的高PSRR低温漂带隙基准源设计————作者：王进军;冯岩;李梓腾;张世奇;段玉博;

摘要：针对传统带隙基准不能满足温度传感器高性能需求问题，在电压模带隙基准的基础上，采用SMIC018工艺设计一种可用于温度传感器中的低温漂高电源抑制比带隙基准电压源。利用BJT管电流放大倍数β与温度呈近似线性关系的特性，通过在双极型晶体管的基极到地之间增加一个电阻，实现温度的二阶曲率补偿，降低温漂系数。与现有的二阶温度补偿技术相比具有结构简单、功耗低、补偿效果更理想的优点。同时采用PSRR(Power ...

碳和钛酸锂共溅射对钴酸锂电化学性能的影响————作者：郑志强;朱归胜;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;陈彩明;

摘要：钴酸锂是最早实现商业化的锂离子电池正极材料之一，在高电压条件下容易发生电极结构相变，严重影响其循环寿命。本研究采用碳和钛酸锂共溅射的方法在钴酸锂电极片表面形成复合涂层，以提升其循环稳定性和电化学性能。研究结果显示，在3.0～4.5 V电压范围内，复合涂层改性后的钴酸锂电极循环300次后仍保持84.3%的容量保持率。此外，复合涂层还可以提高锂离子扩散系数，从而提高电池的倍率性能，当电流密度为5C时，...

铜纳米线嵌入对氧化铟锡薄膜的柔性和导电性提升研究————作者：石和平;闫光辉;于仕辉;

摘要：氧化铟锡(ITO)薄膜是制备新一代柔性透明导电薄膜的关键材料，但差的导电性和机械柔性限制了其在柔性光电子器件中的实际应用。利用磁控溅射技术和喷涂工艺相结合的方法将铜纳米线(Cu NW)嵌入到ITO薄膜中，有效提高了ITO薄膜的导电性和机械柔性。采用扫描电子显微镜对ITO-Cu NW复合薄膜形貌进行了分析，利用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对ITO-Cu NW复合薄膜的电学性能和光学性能进行了...

片式钽电容器肖特基发射电流的机理分析————作者：邓俊涛;钟山;代东升;胡丹单;余伟;潘齐凤;

摘要：基于肖特基发射电流传导机制，研究一种测试方法，能够推导计算片式钽电容器的肖特基势垒，并分析肖特基发射电流的形成原因，进而评估击穿时间，通过半定量分析阴极制备杂质残留，提出了片式钽电容器的一种混合结构模型。结果表明，MnO₂阴极掺杂样品组的肖特基势垒低，击穿时间短；非掺杂组的肖特基势垒高，击穿时间长。说明阴极材料中的金属杂质是导致片式钽电容器高温漏电流增大乃至击穿的主要原因。在...

　　相关科技期刊推荐

　　核心期刊推荐

查看更多科技期刊