【杂志简介】
《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。
1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。
本刊已列为国家科技部中国科技论文统计源期刊，被认定为《中国科学引文数据库》来源期刊、《中国学术期刊综合评介数据库》全文收录期刊，已载入《电子科技文献数据库》和《中国工程技术电子信息网》，已被《中国学术期刊(光盘)》和《中国期刊网》全文收录，已进入万方数据资源系统ChianInfo数字化期刊群。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录
信息产业部2001-2002年优秀期刊
中国期刊方阵“双效”期刊
江苏省第六届优秀期刊
国外数据库收录：美国化学文摘
【栏目设置】
设有“学术论文”、“研究报告”、“研究简讯”、“会议报道”等栏目。
杂志优秀目录参考：
1 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响 王哲力;周建军;孔月婵;孔岑;董逊;杨洋;陈堂胜; 307-310+345
2 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型 赵青云;于宝旗;苏丽娜;顾晓峰; 311-316+365
3 柱形量子点中量子比特的消相干时间 姜福仕;李岩; 317-320
4 S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现 姚实;唐世军;任春江;钱峰; 321-324+391
5 L波段高增益功放模块设计 杨斌;林川;高群; 325-328
6 应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器 郑耀华;郑瑞青;林俊明;陈思弟;章国豪; 329-333
7 基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计 陈思弟;郑耀华;章国豪; 334-339
8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器 郑瑞青;郑耀华;章国豪; 340-345
9 WIFI用砷化镓多功能收发芯片设计与实现 李娜;叶建军;杨磊; 346-351
10 一种高集成射频接收前端 黄贞松;宋艳;许庆;杨磊; 352-356
11 X波段8路波导功分器/合成器 周巧仪;崔富义;马福军; 357-359+397
12 基于阶梯阻抗谐振器的双频微带带通滤波器设计 李紫怡;杨维明;朱星宇;彭菊红;张伟; 360-365
13 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响 李丽莎;闫大为;管婕;杨国锋;王福学;肖少庆;顾晓峰; 366-370
14 高压LDMOS击穿电压退化机理研究 金锋;徐向明;宁开明;钱文生;王惠惠;邓彤;王鹏飞;张卫; 371-376
15 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计 沈玲羽;庞屹林;范阳;夏晓娟;吉新村;郭宇锋; 377-382
16 TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究 郭瑶;徐晓英;叶宇辉;高兵生; 383-387
17 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺 陈韬;蒋浩;陈堂胜; 388-391
18 盖板结构对外壳密封可靠性影响的有限元分析 郭怀新;程凯;胡进;王子良; 392-397
安全论文发表：对计算机网络的维护及管理的分析
【摘要】 随着信息技术的发展，网络的应用已经普及到各个阶层和各个行业，这给人们的工作和日常生活带来了极大的便利，但是同时由于网络安全问题的存在也给人们带来了很多的困扰，这些安全问题主要表现在病毒、木马以及漏洞攻击上。本文通过对计算机网络中存在的问题进行分析，旨在为网络的安全和便利提供一些技术上的策略。
【关键词】 安全论文发表,计算机网络,完全防护,网络维护与管理,策略
一、计算机网络中的问题分析
1.1 计算机病毒和木马
计算机病毒和木马在很多文献中都分开论述，但是由于其原理基本相同，所以笔者在本文的论述中将其归为一类。计算机病毒和木马的传播过程中有很多类似的地方，但是在破坏性上两者有较大差别，计算机病毒是特指可以对计算机软硬件造成损害的一类计算机程序，而木马则是用来窃取用户信息的计算机程序。这两者都是通过网络给用户带来危害的计算机程序，并且现在计算机技术飞速发展，病毒和木马的变种也越来越多，只有提高自己的网络安全意识，才能降低受到危害的风险 [2]。
固体电子学研究与进展最新期刊目录
宽带双圆极化低剖面天线及其阵列研究————作者：王磊;
摘要：本文设计了一种新型宽带双圆极化低剖面天线。基于传统双层微带贴片天线结构，本文在下层贴片刻蚀带有枝节的方环形缝隙并引入短路接地柱，从而形成新的辐射模式，有效展宽了天线的带宽及优化了圆极化特性。天线采用双点馈电，利用3dB电桥作为馈电网络，实现了左旋、右旋圆极化辐射方式。天线单元的10dB阻抗带宽约为16%（1.95GHz～2.29GHz），全频带轴比≤1.93dB（带宽16%），天线剖面高度约为0....
基于MOCVD的β-Ga2O3同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展————作者：刘洋;何云龙;陈谷然;陆小力;郑雪峰;马晓华;郝跃;
摘要：β-Ga2O3是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料，近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积（Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD）技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势，成为未来β-Ga2<...
碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究————作者：赵亮;杨扬;霍帅;张勇;陆辉;汪珍胜;钟世昌;唐世军;孔月婵;陈堂胜;
摘要：基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料，研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管，并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计，实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB，增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路，可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考
毫米波/太赫兹MEMS开关研究及技术进展————作者：张博;李依桐;张乃柏;宋瑞良;邓琨;杨光耀;刘军;
摘要：毫米波/太赫兹MEMS开关是一种采用半导体技术制造的微小型可移动器件，具有体积小、功耗低、集成度高等优点。本文首先介绍了毫米波/太赫兹MEMS开关的结构及工作原理，回顾了近年来基于固定梁式和悬臂梁式的毫米波/太赫兹MEMS开关的研究进展，指出对于低功耗的应用来说，悬臂梁式的开关要优于其他的开关设计。然后，分析了几种典型的毫米波/太赫兹MEMS开关的重要性能指标优化方案。最后，阐述了毫米波/太赫兹M...
增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究————作者：鲍诚;王登贵;任春江;周建军;倪志远;章军云;
摘要：阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应，促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态，进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移，长时间工作会引起栅极特性退化，阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件...
基于数字编码的双波束双折叠透射阵列天线————作者：梁雅洁;杜勇机;王泽华;于映;
摘要：提出了一种基于数字编码的双波束双折叠透射阵列天线。该天线由主透射面、副反射面以及喇叭馈源组成，其中主透射面能实现x极化波的全反射和y极化波的全透射，副反射面能将馈源发出的线极化波转换为交叉极化反射波。通过合理布局，该天线能将剖面高度减小为传统透射阵的1/4。此外，采用基于数字编码的方式，先将阵面进行离散化编码为M1，然后将两个相位间隔为180°的单元按照特定梯度编码为双波束调制序列M2，最后把M1...
一款应用于802.11ax的5.3～7.4 GHz CMOS低噪声放大器设计————作者：蒋欣怡;石春琦;黄磊磊;徐珑;张润曦;
摘要：为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求，设计了一款5.3～7.4 GHz宽带低噪声放大器（Low noise amplifier, LNA）。采用无源变压器作为辅路，实现噪声抵消，在优化噪声系数的同时不增加功耗，与未采用噪声抵消的方案相比，噪声系数改善0.27 dB。采用开关电容阵列，实现可调谐级间网络，子带带宽和整体调谐带宽分别为700 MHz和2.1 GHz。基于等Q圆策略设...
应用于图像传感器的低功耗可编程增益放大器设计技术研究————作者：郭仲杰;胡轩瑜;郭优美;王艺哲;
摘要：为了降低超大面阵CMOS图像传感器芯片的平均功耗，基于开关电容放大器的工作机理，提出了一种针对图像传感器前端信号采集与放大模块功耗降低的方法。研究图像传感器光电信号的建立特征，分析信号稳定与偏置电流之间的动态关系，提出以信号高效建立为目标的动态低功耗偏置方法。针对功耗与速度的矛盾问题，提出采用跟随数模转换器（Digital-to-analog converter, DAC）的预置电压改进方法，在降...
《固体电子学研究与进展》2024年度优秀论文获奖公告
摘要：<正>为了表彰在学术研究中取得突出成就的作者，并激励更多学者积极展示优秀科研成果，《固体电子学研究与进展》编辑部组织了年度优秀论文评选工作，聘请专家组对2024年刊发的论文进行了严格的学术评审打分，共评选出10篇优秀论文，特此公告（排名不分前后）
基于PDMS锥形微结构的柔性石墨烯压力传感器————作者：张珈铭;李雷;宋阳;徐荣青;赵江;
摘要：为解决压力传感器中的高灵敏度和宽传感范围的平衡问题，受日常应用中光敏印章技术的启发，采用光敏印章辅助掩模技术制作基于聚二甲基硅氧烷（Polydimethylsiloxane,PDMS）锥形微结构的石墨烯压力传感器，并且研究了不同圆锥尺寸对压力传感器灵敏度的影响。结果表明，PDMS锥形结构的圆锥半径为1.5 mm时可有效提高灵敏度，双层PDMS锥形微结构的石墨烯压力传感器在0～0.5 kPa的工作范...
一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统————作者：杨进;张君直;朱健;黄旼;郁元卫;闫樊钰慧;王留宝;
摘要：近年来，随着摩尔定律逐渐放缓，晶上系统（System on wafer, SoW）技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一，已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术，将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成，可实现全新的轻薄化毫米波晶上阵列，具有“三免”（免连接器、免电缆、免管壳封装）的颠覆性结构。本文针对毫米波晶上阵列的自动化测试需求，创新性提出一种毫米波双面晶圆测试方法，突破了多...
系统封装高速链路中跨层信号通路与配电网络协同分析————作者：李涛;缪旻;
摘要：针对高速链路信号通路中典型的垂直过孔互连结构和配电网络电源/地平面对的信号完整性（Signal integrity, SI）与电源完整性（Power integrity, PI）问题进行了研究，分析了其电磁耦合机理，提出了一种流程相对简单、资源开销小、建模效率高的协同分析方法。以在研的某型复合陶瓷SiP样品中信号通路和配电网络结构的设计为例，对所提出的协同分析方法的有效性进行了验证
用于痕量物质检测的碳基太赫兹超表面研究进展————作者：张向;王玥;
摘要：太赫兹超表面传感技术在生物医学检测和疾病诊断领域具有显著优势，这主要得益于太赫兹波的非电离性和生物分子指纹谱特性。本文综述了基于石墨烯和碳纳米管的碳基太赫兹超表面传感器的最新研究，重点讨论了这些传感器在提高灵敏度、特异性检测以及构建宽带指纹频谱等方面的应用，包括不同局域模式下的灵敏度增强和功能材料特殊修饰的特异性检测。具体来说，石墨烯超表面传感器利用其高电子迁移率和线性色散关系，在太赫兹频段内实现...
65GHz薄膜铌酸锂电光强度调制器————作者：顾晓文;钱广;王琛全;戴姜平;唐杰;孔月婵;陈堂胜;
摘要：<正>南京电子器件研究所基于自主101.6mm（4英寸）硅基绝缘体上薄膜铌酸锂（Lithium niobate-on-insulator,LNOI）工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片（如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm）,研究了低损耗LNOI光波导、低应力低损耗氧化硅生长等核心工艺,突破了宽带、低插入损耗LNOI调制器技术。调制器芯片典型插入损耗≤5dB（如图2所示）...
基于区域划分的多功能一体集成物理基模型————作者：王棱;毛书漫;黄磊;张波;徐跃杭;
摘要：射频前端芯片的多功能一体化设计对晶体管模型的功能及其复用能力提出了更高的要求。然而，传统模型无法实现多功能复用，导致模型参数提取步骤多、建模效率低。对此，本文提出了一种基于准物理区划分（Quasi-physical zone division, QPZD）理论的多功能的器件物理基建模方法，模型具备非线性、噪声和开关特性的表征能力。首先，本文阐述了QPZD的建模原理，分别介绍了基于QPZD的非线性、...
一种应用于5G的高隔离度双频MIMO天线设计————作者：段铸;BILLAH MASUM;白茹冰;
摘要：提出了一种应用于第五代移动通信（5G）的高隔离度双频多输入多输出（multiple-input multiple-output， MIMO）天线。采用圆形单极子作为天线单元，通过在圆形辐射贴片上刻蚀C型槽来产生新的谐振，实现了天线的双频特性。天线单元间的边缘间距仅为12mm(0.14 λL，λL为低频谐振点3.5GHz处的自由空间波长)，为避免距离较近导...
化学气相沉积合成纯单层石墨烯的技术综述————作者：徐洋健;肖润涵;王浩敏;于广辉;
摘要：石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景，同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此，高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种关键器件应用的基础。目前，在众多的石墨烯制备方法中，大尺寸、高质量石墨烯薄膜制备的最主要手段是化学气相沉积法。本文综述了近年来利用化学气相沉积法合成纯单层石墨烯连续薄膜的相关研究进展...
130万像素数字化微光EBAPS器件及组件————作者：王东辰;徐鹏霄;王艳;伍伟;唐光华;
摘要：<正>数字化微光电子轰击有源像素传感器（Electron bombarded active-pixel sensor,EBAPS）是继超二代、三代微光像增强器之后的下一代数字化微光探测核心器件。EBAPS器件兼顾了真空光电器件的低暗发射、高增益特性与半导体CMOS图像传感器高集成度、数字化输出特性。适用于极低照度(10-5 lx)探测,可满足全天候工作(10-5 碳基射频电子器件研究进展————作者：潘梓澎;丁力; 摘要：碳作为自然界中含量丰富的元素，其多样的同素异形体促进着社会科技不断发展。特别在半导体领域，金刚石、石墨烯以及碳纳米管凭借其超高的载流子迁移率和独特的能带结构，在高频、高功率甚至电力电子等方面有着巨大应用前景。本文综述了近年来碳基材料（金刚石、石墨烯和碳纳米管）在射频电子器件方面的研究进展，包括材料制备、特性分析、射频电子器件工艺和成果等。最后，列举了目前碳基材料在射频方面所面临的挑战，并展望未来碳... 碳纳米管单片三维集成电路————作者：谢雨农;张志勇; 摘要：随着人工智能、大数据等领域的发展，对芯片算力和能效的要求越来越高。传统的硅基芯片技术面临功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制，亟须新的沟道材料和芯片架构来推动信息电子产业的继续向前。碳纳米管（Carbon nanotube, CNT）因其优异的电学、力学和热学性能，成为构建下一代集成电路的理想材料。本文综述了碳纳米管单片三维集成电路（Molithic three-dimmensional integra... 相关电子信息期刊推荐 核心期刊推荐
