半导体技术

《半导体技术》 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：13-1109/TN; 国际标准刊号：1003-353X; 主办单位：中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所; 主管单位：信息产业部; 查看半导体技术近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《激光与红外》研究生论文; 下一本期杂志：《半导体光电》杂志编辑部

　　【杂志简介】

　　《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　中文核心期刊

　　中国科技论文统计用刊

　　国外数据库收录：俄罗斯文摘杂志、美国化学文摘、英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库

　　【栏目设置】

　　栏目主要设有： 1中国半导体发展趋势论坛(综述)：诚邀《半导体技术》的专家顾问发表精辟观点和看法;政府主管部门领导提出政策投资建议。芯片生产工艺技术：力求突出芯片制造新工艺、前道工序流程主流技术等。 IC封装及测试：国外先进封装技术如微间距打线技术;BGA; 叠合式/三维封装;Quad 封装等。以及IC测试、系统级测试等。新材料新设备：对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。全国集成电路产业介绍：图文并茂的介绍中国集成电路产业发展较快的地方和基地情况，以利各方参考。企业：(采访追明星踪)针对国内外半导体行业的主流企业进行针对性访问和系统介绍。为供需双方提供具有参考价值的范本。新品之窗：对半导体设计与材料设备的新产品予以相关介绍和推荐设计与应用：嵌入式系统、PLD/FPGA设计;通信、网络技术、DSP和多媒体应用;电源器件、数字/模拟IC、消费类/工业类电子器件等应用技术业界动态：综合报道世界半导体行业最新动态会议报道：专门报道行业相关会议，传达精神，指导工作。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 西门子解决方案合作伙伴计划 637

　　2 硅基自旋注入研究进展卢启海;黄蓉;郑礴;李俊;韩根亮;闫鹏勋;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s时间交织流水线A/D转换器的设计杨阳;张科峰;任志雄;刘览琦; 647-652+662

　　4 低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析林长龙;孙欣茁;郭振义;李国峰;梁科;王锦; 653-657

　　5 一种高频E类功率放大器设计方法刘超;陈钟荣; 658-662

　　6 GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理林丽艳;李用兵; 663-666

　　7 pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响秦然;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;武鹏;王娟; 667-670+710

　　8 高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层刘上贤;汪明刚;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子点边缘结构和形貌的第一性原理计算沈涛;梁培;陈欣平;历强; 679-683

　　11 TSV封装通孔形态参数对焊点热疲劳寿命的影响张翼;薛齐文;刘旭东; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究奚嘉;陈妙;肖斐;龙欣江;张黎;赖志明; 692-698

　　13 点燃产业创新之火,IC China推动FPGA产业发展 698

　　14 基于可控电流源的太阳电池模型参数测试方法张渊博;韩培德;卓国文; 699-705

　　15 用于监测硅片应力的红外光弹仪兰天宝;潘晓旭;苏飞; 706-710

　　16 HTCC工艺通用自动上下料系统设计与实现张超;郑宏宇;李阳; 711-717

　　17 第一次征稿通知第11届国际专用集成电路会议 718-719

　　18 2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知 720

　　中国广播电视学刊投稿：控制理论和控制工程的发展与应用分析

　　摘要随着科学技术的不断完善和发展，控制工程与控制理论也得到了不断的完善，控制理论和控制工程被广泛应用于各大企业系统生产中。在本篇文章里，笔者在控制工程与控制理论的基础知识理论上，对控制工程与控制理论的相关历史发展阶段进行研究，并且分析了控制理论和控制工程的应用，以期望能够为控制系统的发展以及相关研究提供有用的参考依据。

　　关键词控制理论和控制工程,发展,应用

　　控制理论虽然起源于英国18世纪的技术革命时期，但是却在二十一世纪被广泛应用。随着社会经济的不断发展，控制理论和控制工程被广泛的应用于相关工程企业当中。在本篇文章里，笔者不仅分析了控制理论和控制工程的发展，还探索了控制理论和控制工程的应用前景。

　　半导体技术最新期刊目录

基于查找表均衡的高速SerDes发送端设计————作者：陶保明;张春茗;任一凡;戢小亮;

摘要：为使高速串行器/解串器（SerDes）发送端具有更大的均衡灵活性，采用UMC 28 nm CMOS工艺设计了一种基于数字信号处理（DSP）-数模转换器（DAC）结构的高速SerDes发送端。通过将发送端中前馈均衡功能以查找表（LUT）形式集成至DSP中，灵活应对了信道高频损耗严重和信号完整性问题，并简化了全定制电路设计的复杂度；其主体结构包括DSP、温度编码器、重定时器、32:4多路复用器（MUX...

横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制————作者：袁文迁;季一润;杨敏祥;槐青;袁茜;郝震;刘铁城;

摘要：传统的纵向结构压接IGBT（PPI）测试平台的叠层母排区域互感较强，但PPI与回流铜排的互感较弱，同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题，研制了一种新型横向结构测试平台，通过改变IGBT周边区域电流分布，增强互感，使该区域寄生电感值降低了36.9%，有效降低了回路总寄生电感值。且通过将被测IGBT和陪测器件并排布置，可以实现对被测IGBT和陪测续流二极管（FWD）施加不...

IGBT相变冷板的设计和数值模拟————作者：潘子升;周俊屹;余时帆;胡桂林;

摘要：针对绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题，基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热，建立了三维、伪瞬态算法稳态和体积分数法（VOF）相变的综合数学模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三种相变制冷剂在单块IGBT微通道沸腾相变散热器中的散热性能；在单块的基础上进行了多片IGBT串联、并联、串并联三种不同流...

全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能————作者：江紫玲;朱睿;张婕;

摘要：有机场效应晶体管（OFET）因其低成本和优异的可兼容特性，是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸（PAA）/SU-8双层介电结构，结合全溶液法制备了基于6，13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)（TIPS）-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜（AFM）和接触角测量仪分析表面特性，PAA/SU-8双层薄膜均方根（RMS）粗糙度（0.284 nm）较纯PAA薄膜（2.77 nm）显著降低，表面接...

TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应————作者：贺斌;高宝红;霍金向;李雯浩宇;贺越;王建树;

摘要：极大规模集成电路（GLSI）中多层铜布线的化学机械抛光（CMP）是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素，而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量，因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过抛光实验、电化学实验、接触角实验和表面表征测试，深入分析了LS-97和TAZ复配使用对铜表面的影响。研究结果表明，500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ复配...

具有双层空穴传输层的高亮度QLED————作者：方文惠;阮钰菁;廖靖妍;罗东向;郑华;刘佰全;

摘要：量子点发光二极管（QLED）凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度，在显示与照明领域备受关注，但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层（HTL）及双层HTL结构对QLED性能的影响，并揭示其发光机理。通过结合4，4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）的电子阻挡能力与4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）的高空穴传输能力设计出双层HTL，...

基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征————作者：高博文;杜颖晨;张亚民;

摘要：SiC MOSFET栅极氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高温高压场景下出现许多可靠性问题。提出了完整的基于瞬态电流法的陷阱表征方案，结合贝叶斯迭代反卷积算法实现对陷阱位置、时间常数和激活能的表征。基于自建陷阱测试平台在栅极和漏极施加不同组合的电学偏置，表征了微秒量级的两个陷阱，其时间常数分别为2×10^-5s和2.5×10^-4s，同时观察到SiC MOSF...

基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器————作者：李俊敏;刘英坤;李通;蔡道民;

摘要：为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配，导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题，基于0.25μm GaN HEMT工艺，对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗，以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联，使HEMT输出端对二次谐波短路，控制器件的电压和电流波形，提高放大器的...

一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器————作者：冯仕豪;余德水;马奎;杨发顺;

摘要：基于80 V双极型集成电路工艺，设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构，选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管，实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏，设计了过温指示及热关断模块，在139～164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示，该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失...

动载荷下高黏胶液的拉伸衍变过程分析————作者：薛雨诗;张超锋;陈国庆;叶鹏;尹加政;

摘要：点胶工艺是影响点胶质量的重要因素。由于高黏度非牛顿流体胶对剪切速率的依赖性，点胶时采用的速度会影响胶液的流动变形。通过实验与仿真相结合的方法研究了胶液转移时基板与针头间液桥的动态行为。首先，探究了出胶流速对胶底初始状态的影响；其次，分析了针尖与胶液分离时产生的液桥形变；最后，探讨了不同出胶流速与拉伸速度对液桥断裂的综合影响。结果表明，低流速出胶会使胶液铺展直径更小，且出胶流速与拉伸速度对胶液分离断...

一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器————作者：李飞宇;陈君涛;周爵;朱安康;

摘要：设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器（LDO）。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点，采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声，并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片，其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明，在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时，LDO的启动时间约为...

基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器————作者：唐鑫;柳志成;江弘胜;李国强;

摘要：针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题，提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延（MBE）法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列，在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层，形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势，如高吸光特性和高载流子迁移率，制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下，在365 nm波...

时序优化的瞬态热反射成像测温技术————作者：夏力;商娅娜;陈娜;刘书朋;刘勇;庞拂飞;王廷云;

摘要：为消除光源波动对热反射测量的干扰，提出一种时序优化的瞬态热反射测温方法。该方法在触发光源信号与激励信号之间，交替实现两者的同步与延迟，从而实现瞬态热反射成像。为验证该方法，使用尺寸小、热导率高的硅芯石英包层光纤作为样品，得到硅芯在一个温度变化周期内的反射率变化与平均反射率的比值(△R/R₀)为-5.98×10^-4，而相同测量时间内光源波动导致的该比值为-...

高阈值电压的半环绕式MIS栅极p-GaN HEMT————作者：何晓宁;贾茂;李明志;侯斌;杨凌;马晓华;

摘要：p-GaN HEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势，成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求，提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体（MIS）栅结构的p-GaN HEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属环绕p-GaN层，该器件实现了6.9 V的高阈值电压，且栅极操作范围提升至14 V。器件的输出电流由17.1 mA/mm提升至30.5 mA/mm，导...

半导体桥换能元结构设计与制备————作者：刘宇韬;左玉晨;刘黎;刘兆伦;

摘要：换能元作为电火工品的核心部件，直接影响着电火工品的安全性和可靠性。以发火性能最佳的双V形桥形为基础，推导出双V形半导体桥（SCB）换能元电阻的计算公式。通过TCAD工具构建了双V形半导体桥换能元三维结构模型，并对桥区电流密度进行了仿真。依据半导体桥桥区电阻计算理论和建模仿真结果，制备出相应尺寸的半导体桥芯片并进行阻值测量。仿真结果表明，在直流1 V电压激励下，双V形半导体桥桥区尖角处的电流密度最大...

基于V型介质柱的光子晶体全布里渊区平带特性————作者：倪松梅;孙晓乔;郭龙飞;陈琳;陶志阔;

摘要：对于周期性晶体结构而言，能带平带特性对其光学、电学等相关特性都有重要影响。首先研究了三角晶格二维V型介质柱光子晶体能带结构，通过优化V型介质柱两臂夹角研究其平带特性；进一步研究了Kagome晶格二维V型介质柱光子晶体能带结构，通过优化V型介质柱两臂夹角、两臂长度及旋转角，并结合布里渊区高对称点电场分布及群速度（群指数）等特性，得到其全布里渊区带宽最小值仅为0.006。此研究结果为进一步探索光子晶体...

基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模————作者：王悦杨;马英杰;白永林;吴佳颖;廉浩哲;唐敏;刘伟景;

摘要：对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管（NSFET）进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据，结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅（BSIM-CMG）紧凑模型，完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理，确立并修正了部分相关的物理参数，准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化，完成核...

基于离心铸造法制备的CsPbBr₃多晶薄膜及其光电性能————作者：云文磊;郭喜涛;冯林;邓文娟;

摘要：金属卤化物钙钛矿因具有优异的光电特性，被广泛应用于光电探测器。然而，溶液法制备钙钛矿多晶薄膜的工艺复杂，且薄膜的连续性和致密度不高，进而影响其光电性能。使用溶液处理离心铸造法快速制备了连续且致密的CsPbBr₃多晶薄膜，采用叉指金电极构建了金属-半导体-金属结构的CsPbBr₃微米晶薄膜光电探测器。利用离心力增强CsPbBr₃微米晶...

改进YOLOv8n的MEMS缺陷检测方法————作者：代培康;李翰山;

摘要：微电子机械系统(MEMS)器件在高温、强振动以及高过载下易出现引线断开、管腔杂质等缺陷，造成搭载MEMS器件的设备发生故障，对MEMS器件中的这些缺陷进行快速、精准的检测成为亟待解决的难题。基于MEMS金相图像，提出了一种改进YOLOv8n的MEMS缺陷检测方法。在Backbone层构建全新的C2f＿Faster-EMA模块，使网络能够更高效地处理缺陷的多尺度信息，突出小目标缺陷特征；在Neck层...

卧式扩散炉管的硅热氧化均匀性————作者：李立谦;张现磊;周涛;张志林;

摘要：基于卧式扩散炉管的硅热氧化工艺，对影响SiO₂薄膜厚度均匀性的工装和工艺气体体积流量进行了研究，并使用数学模型对不同工装条件下炉管内气体流动分布及平衡态气体体积流量进行分析和讨论。测试结果和分析结论表明，保证炉管出气口的气密性对生成的SiO₂薄膜厚度的均匀性至关重要。在通入O₂量可携带足够H₂O蒸气进入扩散炉管...

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文章标题：《半导体技术》杂志编辑部目录参考

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