半导体光电杂志投稿格式

　　1.文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号)：

　　1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

　　4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

　　6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

　　7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

　　8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

　　9) 注意事项

　　(1)参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。

　　(2)外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。

　　(3)外文题名第一个单词首字母大写，其余单词(专有名词除外)均不大写。

　　(4)外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。

　　(5) 为扩大期刊论文的传播范围，提高影响力，即日起，凡文中涉及的中文参考文献，请提供对应外文格式。

　　2. 来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。投稿后请关注本刊微信公众号，并绑定投稿账号，以便第一时间接收稿件动态信息。

　　3. 作者在投稿前可通过网站首页上方菜单栏中“不端检测”或右下角友情链接“万方学术不端检测系统”进行论文查重检测(由万方系统收费，作者自愿选择，本编辑部不收取任何费用)。

　　4. 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。

　　5.来稿一经录用并刊登，其复制权、发行权、信息网络传播权、翻译权、汇编权在全世界范围内转让给《半导体光电》编辑部，编辑部根据需要独家代理申请本文的版权登记事项。如有特殊要求，请务必来电告知。未特别说明者，视为同意本条约定。所有相关费用均包含在本刊支付的稿费中。